При участии русского учёного в лаборатории Минэнерго США развивают спинтронику
В рубрике "Поговорим о науке" сегодня речь о том, что специалисты в области материаловедения заявили о «лабораторном обнаружении» редких свойств известного материала. Это слоистый ферромагнитный полупроводник.
Свойства материала были обнаружены учёными лаборатории Эймса, которая ведёт свою деятельность под эгидой министерства энергетики США. Учёные из лаборатории Эймса сотрудничают с представителями Принстонского университета и Брукхейвенской национальной лаборатории.
Отмечено, что открытые новые свойства материала позволяют совершить настоящий рывок в области электронных технологий. В частности, речь идёт о так называемой спинтронике. Это раздел квантовой электроники, который изучает перенос информации или энергии не током электронов, а током спинов (для справки: спином в физике называют собственный момент импульса элементарных частиц).
Ферромагнитные полупроводники – крайне редкие материалы. А область их применения перспективно весьма широка. Одно из таких – создание спиновых транзисторов, когда есть возможность управления упомянутым спиновым током.
Учёные из лаборатории Эймса сравнили получение нового ферромагнитного полупроводника (ФМПП) с «обнаружением сокровища на собственном заднем дворе». Дело в том, что основу ФМПП в данном случае составляет пара «ванадий-йод» - материал, который относительно давно известен учёным, но который «не раскрывал всех своих возможностей».
Из интервью одного из учёных Тая Конга:
Другой учёный из американской лаборатории Эймса, Руслан Прозоров, отмечает, что в созданном (открытом в лабораторных условиях) ФМПП появилась возможность управлять токами с помощью изменения намагниченности, включая изменение площади активности участков слоёв вещества.
Как видно по фамилиям учёных, команда, работающая на Минэнерго США, многонациональная. Находится в ней место и русским учёным. Именно Руслан Прозоров, изучая свойства веществ при низких температурах в лаборатории Эймса, в 2007 году обнаружил существенную зависимость конфигурации магнитного поля внутри полупроводника от формы испытуемого образца.
Свойства материала были обнаружены учёными лаборатории Эймса, которая ведёт свою деятельность под эгидой министерства энергетики США. Учёные из лаборатории Эймса сотрудничают с представителями Принстонского университета и Брукхейвенской национальной лаборатории.
Отмечено, что открытые новые свойства материала позволяют совершить настоящий рывок в области электронных технологий. В частности, речь идёт о так называемой спинтронике. Это раздел квантовой электроники, который изучает перенос информации или энергии не током электронов, а током спинов (для справки: спином в физике называют собственный момент импульса элементарных частиц).
Ферромагнитные полупроводники – крайне редкие материалы. А область их применения перспективно весьма широка. Одно из таких – создание спиновых транзисторов, когда есть возможность управления упомянутым спиновым током.
Учёные из лаборатории Эймса сравнили получение нового ферромагнитного полупроводника (ФМПП) с «обнаружением сокровища на собственном заднем дворе». Дело в том, что основу ФМПП в данном случае составляет пара «ванадий-йод» - материал, который относительно давно известен учёным, но который «не раскрывал всех своих возможностей».
Из интервью одного из учёных Тая Конга:
Это похоже на получение новой формы кирпичиков Lego. Чем больше у вас уникальных деталей, тем круче вы можете их создать. Мы получаем всё больше таких «кирпичиков».
Другой учёный из американской лаборатории Эймса, Руслан Прозоров, отмечает, что в созданном (открытом в лабораторных условиях) ФМПП появилась возможность управлять токами с помощью изменения намагниченности, включая изменение площади активности участков слоёв вещества.
Как видно по фамилиям учёных, команда, работающая на Минэнерго США, многонациональная. Находится в ней место и русским учёным. Именно Руслан Прозоров, изучая свойства веществ при низких температурах в лаборатории Эймса, в 2007 году обнаружил существенную зависимость конфигурации магнитного поля внутри полупроводника от формы испытуемого образца.
Информация