В РФ появится линия по производству чипов, которая к моменту создания устареет

Россия стремится создать производство электроники, не зависящее от внешних поставок. Поэтому Минпромторг РФ выделил средства на создание к 2030 году отечественной линии фотолитографии для производства микрочипов.
Речь идет топологических нормах 180-130 нм. Но дело в том, что ведущие производители электроники, в частности, лидер отрасли тайваньская компания TSMC, уже стремятся разработать чипы уровня 2 нм.
Получается, что через несколько лет в РФ появится линия по производству чипов, которая к моменту создания устареет. Соответственно, напрашивается вывод, что выделяемые правительством 2,8 миллиарда рублей будут потрачены впустую.
Выходит, что Россия старается самостоятельно с нуля создавать то, что в мире делается при помощи международной кооперации между странами. Это может означать неизбежное и непреодолимое отставание РФ от ведущих мировых производителей.
Но, вполне возможно, что не все так однозначно, и российское правительство в сложившихся условиях не стремится конкурировать на мировом рынке в сфере электроники, а строит совершенно другие планы. К примеру, целью проекта может быть сохранение возможностей производителей электроники для военной отрасли и госструктур в условиях вероятного полного разрыва связей с поставщиками микрочипов.
Поставленная правительством задача заключается в создании к концу октября 2030 года кластерной линии фотолитографии, где все операции будут объединены в едином производственном комплексе. При этом все задействованные комплектующие и оборудование должны быть произведены в России, чтобы избежать зависимости от иностранных поставщиков.
Таким образом, суть проекта заключается не в научно-технологическом прорыве, а в создании собственной отечественной элементной базы в сфере производства электроники, не зависящей от импорта.
Конечно, хотелось бы, чтобы в нашей стране реализовывались более амбициозные планы, но в первую очередь следует учитывать те условия, которые нам диктует окружающая действительность.
Информация