Разработана первая в России технология производства монокристаллов карбида кремния



Впервые российским предприятием ОАО «Светлана» (входит в холдинг «Росэлектроника» госкорпорации «Ростех») разработана промышленная технология производства монокристаллов и полуизолирующих подложек карбида кремния для создания сверхвысокочастотной электронной компонентной базы. Качество подложек не уступает лучшим зарубежным аналогам.


Данные подложки могут быть использованы в том числе для создания пленок графена, которые считаются наиболее перспективным материалом в качестве основы компонентной базы будущей микроэлектроники и возможной заменой кремния в интегральных микросхемах. Сравнение параметров разработанных подложек с параметрами американских аналогов показывает, что продукция ОАО «Светлана» находится на уровне, например, американского аналога Grade M (для военных применений), и существенно превышает параметры Grade R&D (для исследовательских целей).

Объем финансирования разработок составил 285 млн. рублей, в том числе 190 млн. руб. — за счет федерального бюджета, 95 млн. руб. — из собственных средств.

«Для успешного развития отечественной технологии производства карбида необходима поддержка и взаимодействие потенциальных потребителей и партнеров. Развитие производства подложек карбида кремния станет весомым вкладом холдинга в обеспечение технологической и стратегической независимости России», — отметил заместитель генерального директора ОАО «Росэлектроника» Арсений Брыкин.

В настоящее время ОАО «Светлана» готово начать поставки подложек полуизолирующих карбида кремния политипа 6Н диаметром 3 дюйма для российских потребителей, при этом цены подложек существенно ниже, чем у других производителей. Основными потребителями разработанных подложек будут предприятия и организации-производители гетероструктур: ЗАО «Светлана-Рост», ЗАО «Элма-Малахит», ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Сибирское отделение РАН и др.

Для справки:

Кремний является основным материалом твёрдотельной электроники. Это базовый материал микроэлектроники, который потребляет 80% полупроводникового кремния. Кремний составляет 70% от всех потребляемых микроэлектроникой материалов. Тем не менее, заметную долю в общем объёме выпуска полупроводниковых изделий составляет кремниевые дискретные приборы — это выпрямительные, импульсные, СВЧ диоды, биполярные, полевые транзисторы.

Монокристаллический кремний является основным материалом и для изготовления приборов силовой электроники — это мощные диоды, тиристоры, транзисторы, интегральные схемы. Они применяются при передаче электроэнергии на большие расстояния, в энергоёмких производствах, например, в металлургическом и химическом, в системах электропитания.

Кремний широко применяется для производства фоточувствительных приборов, фотодиодов и фототранзисторов, разнообразных сенсорных устройств, прецизионных микромеханических систем. Важную роль кремний играет в быстроразвивающейся солнечной энергетике. Более 90% всех солнечных элементов изготавливаются из кристаллического кремния. Перспективным направлением является кремниевая оптоэлектроника. Здесь, прежде всего, следует отметить светоизлучающие приборы и фотодетекторы, интегрирование в кремниевую технологию.

Лишь несколько стран в мире обладают замкнутым технологическим циклом получения поликристаллического кремния (Япония, США, Германия).

По материалам:
http://i-korotchenko.livejournal.com/940057.html
http://5fan.ru/wievjob.php?id=29767
Автор:
Daniel
Ctrl Enter

Заметив ошибку в тексте, выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

28 комментариев
Информация

Уважаемый читатель, чтобы оставлять комментарии к публикации, необходимо зарегистрироваться.
Уже зарегистрированы? Войти